С открытием полупроводников и изучением их свойств стало возможным создание схем на диодах и транзисторах. Вскоре из-за лучших эксплуатационных характеристик и меньших размеров они вытеснили электронные лампы, затем стало возможным производить интегральные микросхемы на основе полупроводниковых элементов.

Что такое полупроводники

Дать определение полупроводникам – это охарактеризовать их с точки зрения способности к проведению электротока. У данных кристаллических веществ увеличивается электропроводность при возрастании температуры, воздействии света, присутствии различных примесей.

Полупроводники бывают широкозонные и узкозонные, что обуславливает свойства полупроводниковых материалов. От ширины запрещенной зоны, измеряемой в электронвольтах (эВ), зависит электропроводность. Этот параметр можно представить как энергию, которая требуется электрону для проникновения в зону проведения электротока. В среднем для полупроводников она 1 эВ, может быть больше или меньше.

Если правильность кристаллической решетки полупроводников нарушается чужеродным атомом, то такая проводимость будет примесной. Когда полупроводниковые вещества предназначены для создания элементов микросхемы, в них специально добавляют примеси, которые образуют повышенные скопления дырок или электронов:

• донорные – с большей валентностью, отдают электроны;
• акцепторные – с меньшей валентностью, забирают электроны, образуя дырки.

Важно! Главный фактор, влияющий на электропроводность проводников, – температура.

Как обеспечивается проводимость

Примерами полупроводников являются кремний, германий. В кристаллах этих веществ атомы имеют ковалентные связи. Когда растет температура, некоторые электроны могут освобождаться. После этого атом, потерявший электрон, становится положительно заряженным ионом. А электрон, не будучи способным перейти к другому атому из-за насыщенности связей, оказывается свободным. Под воздействием электрического поля освободившиеся электроны могут двигаться в направленном потоке.

Ион, потерявший электрон, стремится «отобрать» другой у ближайшего атома. Если у него это получается, то уже этот атом остановится ионом, в свою очередь, пытаясь заместить потерянный электрон. Таким образом, происходит движение «дырок» (положительных зарядов), которое тоже может стать упорядоченным в электрическом поле.

Повышенная температура позволяет электронам энергичнее освобождаться, что приводит к уменьшению сопротивления полупроводника и возрастанию проводимости. Электроны и дырки соотносятся примерно в равных пропорциях в беспримесных кристаллах, такая проводимость называется собственной.

Проводимость p-типа и n-типа

Примесные виды проводимости подразделяются на:

1. Р-типа. Образуется при добавлении акцепторной примеси. Более низкая валентность примеси вызывает формирование повышенного числа дырок. Для четырехвалентного кремния такой примесью может служить трехвалентный бор;
2. N-типа. Если к кремнию добавить пятивалентную сурьму, то в полупроводнике возрастет число освободившихся электронов-носителей отрицательного заряда.

Полупроводниковые элементы в основном функционируют на основе особенностей p-n-перехода. Когда два материала с разным типом проводимости привести в соприкосновение, на границе между ними будет происходить взаимопроникновение электронов и дырок в противоположные зоны.

Важно! Процесс взаимообмена полупроводниковых материалов положительными и отрицательными зарядоносителями имеет временные границы – до формирования запирающего слоя.

Носители положительного и отрицательного заряда накапливаются в соединенных частях, с двух сторон от линии соприкосновения. Возникающая разность потенциалов может достигать 0,6 В.

Когда элемент с p-n-переходом попадает в электрическое поле, его проводимость будет зависеть от подключения источника питания (ИП). При «плюсе» на части с р-проводимостью и «минусе» на части с n-проводимостью запирающий слой уничтожится, и через переход пойдет ток. Если ИП подключить противоположным образом, запирающий слой еще больше увеличится и пропустит электроток ничтожно малой величины.

Важно! Р-n-переход обладает односторонней проводимостью.

Использование полупроводников

На основе свойств полупроводников созданы различные приборы, применяющиеся в радиотехнике, электронике и других областях.

Диод

Односторонняя проводимость полупроводниковых диодов определила область их применения – в основном, при выпрямлении переменного тока. Другие виды диодов:

1. Туннельный. В нем применяются полупроводниковые материалы с таким содержанием примесей, что ширина p-n-перехода резко уменьшается, и становится возможным эффект туннельного пробоя при прямом включении. Используются в ВЧ-устройствах, генераторах, технике для измерений;
2. Обращенный. Несколько измененный туннельный диод. При прямом подключении напряжение, его открывающее, намного ниже в сравнении с классическими диодами. Это предопределяет использование туннельного диода для преобразования токов малых напряжений;
3. Варикап. Когда p-n-переход закрыт, его емкость достаточно высока. Варикап используется как конденсатор, емкость которого можно варьировать изменением напряжения. Емкость будет снижаться, если обратное напряжение растет;

1. Стабилитрон. Подключается параллельно, стабилизирует напряжение на заданном участке;
2. Импульсный. Из-за коротких переходных процессов применяются для импульсных ВЧ-схем;
3. Лавинно-пролетный. Используется для генерации колебаний сверхвысокой частоты. В основе – лавинообразное размножение зарядоносителей.

Этот диод состоит не из двух полупроводниковых материалов, вместо этого полупроводник контактирует с металлом. Так как металл не имеет кристаллическую структуру, дырок в нем быть не может. Значит, в месте соприкосновения его с полупроводниковым материалом к проникновению способны только электроны с обеих сторон, совершая работу выхода. Это становится возможным, когда:

• имеется полупроводник n-типа, и работа выхода его электронов меньше, чем у металла;
• имеется полупроводник р-типа с работой выхода его электронов большей, чем у металла.

В месте контакта полупроводник потеряет зарядоносители, проводимость его снизится. Создается барьер, который преодолевается прямым напряжением необходимого значения. Обратное напряжение практически запирает диод, работающий как выпрямитель. Диоды Шоттки из-за высокого быстродействия используются в импульсных схемах, в вычислительных устройствах, служат они и качестве силовых диодов для выпрямления тока значительной величины.

Практически ни одна микросхема не обходится без транзисторов, полупроводниковых элементов с двумя p-n-переходами. Транзисторный элемент имеет три выводных контакта:

• коллектор;
• база;
• эммитер.

Если на базу подается маломощный сигнал управления, между коллектором и эммитером пропускается намного больший ток. Когда на базу сигнал не подается, ток не проводится. Таким образом, можно регулировать силу тока. Используется прибор для усиления сигнала и бесконтактной коммутации цепи.

Виды полупроводниковых транзисторов:

1. Биполярные. Обладают положительными и отрицательными зарядоносителями. Протекающий ток способен проходить в прямом и обратном направлении. Применяются в качестве усилителей;
2. Полевые. Их выводы называются сток, исток, затвор. Управление производится посредством электрического поля определенной полярности. Сигнал, подаваемый на затвор, может изменять проводимость транзистора. Зарядоносители в полевых приборах могут быть только с одним знаком: положительные либо отрицательные. Мощные полевые транзисторы используются в усилителях звука. Основное их применение – интегральные схемы. Компактные размеры и малое энергопотребление делают возможным устанавливать их в приборах с источниками напряжения малой мощности (часы);
3. Комбинированные. Могут располагаться совместно с другими транзисторными элементами, резисторами в одной монолитной структуре.

Легирование полупроводников

Легирование – это введение примесных элементов, донорных и акцепторных, в кристаллы полупроводников для регулирования их проводимости. Это происходит в период выращивания кристаллов или путем местного внедрения в отдельных зонах.

Применяемые методы:

1. Высокотемпературная диффузия. Полупроводниковый кристалл разогревают, и примесные атомы, находящиеся в контакте с его поверхностью, попадают вглубь. В некоторых узлах кристаллической решетки примесные атомы замещают атомы основного вещества;
2. Ионная имплантация. Происходят ионизация и ускорение примесных атомов, которые бомбардируют монокристалл, создавая местные неоднородности и формируя p-n-переходы;
3. Лазерное облучение. Преимущество способа в том, что, используя направленное излучение, отдельные участки можно разогреть до любых температурных значений, что облегчает ввод примесей;
4. Нейтронное легирование. Применяется сравнительно недавно. Заключается в облучении монокристалла тепловыми нейтронами в реакторе, в результате чего происходит мутация атомных ядер. Атомы кремния преобразуются в фосфорные.

Существуют и другие способы легирования: химическое травление, создание тонких пленок путем напыления.

Как получают полупроводники

Главным в получении полупроводников является их очистка от ненужных примесей. Среди множества способов их получения можно выделить два, наиболее часто применяемых:

1. Зонная плавка. Процесс осуществляется в запаянном кварцевом контейнере, куда подается инертный газ. Расплавляется узкая зона слитка, которая постепенно перемещается. В процессе плавления примеси перераспределяются и рекристаллизируются, выделяя чистую часть;
2. Метод Чохральского. Заключается в выращивании кристалла из затравки путем постепенного вытягивания из расплавленного состава.

Разновидности полупроводниковых материалов

Различия в составе определяют область применения полупроводников:

1. К простым – относятся однородные вещества, применяющееся самостоятельно, а также в качестве примесей и составляющих частей сложных материалов. Кремний, селен и германий используются самостоятельно. Бор, сурьма, теллур, мышьяк, сера, иод служат добавками;
2. Сложные материалы представляют собой химические соединения из двух или нескольких элементов: сульфиды, теллуриды, карбиды;
3. Оксиды кобальта, меди, европия используются в выпрямительных и фотоэлементах;
4. Органические полупроводники: индол, акридон, флавантрон, пентацен. Одна из областей их использования – оптическая электроника;
5. Магнитные полупроводники. Это ферромагнетические материалы, например, сульфид и оксид европия, а также антиферромагнетические – оксид никеля, теллурид европия. Применяются в радиотехнике, оптических устройствах, управляемых магнитным полем.

Сейчас трудно назвать область техники, где не было бы полупроводниковых материалов, используемых в том числе при отсутствии p-n-перехода, например, термосопротивления в температурных датчиках, фотосопротивления в пультах ДУ и другие.

Видео

Свое название полупроводники получили оттого, что они занимают промежуточное место между проводниками (металлы, электролиты, уголь), обладающими большой электропроводимостью, и изоляторами (фарфор, слюда, резина и другие), которые почти не проводят электрического тока.

Если сравнить удельное объемное сопротивление в Ом × см для различных веществ, то окажется, что проводники имеют: ρ U = 10 -6 - 10 -3 Ом × см; удельное сопротивление полупроводников: ρ U = 10 -3 - 10 8 Ом × см; а у диэлектриков: ρ U = 10 8 - 10 20 Ом × см. К полупроводникам относятся: окислы металлов - оксиды (Al 2 O 3 , Cu 2 O, ZnO, TiO 2 , VO 2 , WO 2 , MoO 3); сернистые соединения - сульфиды (Cu 2 S, Ag 2 S, ZnS, CdS, HgS); соединения с селеном - селениды; соединения с теллуром - теллуриды; некоторые сплавы (MgSb 2 , ZnSb, Mg 2 Sb, CdSb, AlSb, ClSb); химические элементы - германий, кремний, теллур, селен, бор, углерод, сера, фосфор, мышьяк, а также большое число сложных соединений (гален, карборунд и другие).

Рисунок 1. Германий

Рисунок 2. Кремний

Рисунок 3. Теллур

Полное и широкое исследование свойств полупроводников выполнено советским ученым А. Ф. Иоффе и его сотрудниками.

Электрические свойства полупроводников резко отличаются от свойств проводников и изоляторов. Электропроводимость проводников в сильной степени зависит от температуры, освещённости, наличия и интенсивности электрического поля, количества примесей. При обычной температуре в полупроводниках есть некоторое количество свободных электронов, образовавшихся вследствие разрыва электронных связей. У полупроводников различают два вида проводимости: электронную и дырочную. Носителями заряда в полупроводниках при электронной проводимости являются свободные электроны, а при дырочной - связи, лишенные электронов.

Рассмотрим следующий опыт. Возьмем металлический проводник и будем нагревать один его конец, тогда нагретый конец проводника получит положительный заряд. Это объясняется перемещением электронов от горячего конца к холодному, в результате чего на горячем конце проводника получается недостаток электронов (положительный заряд), а на холодном конце избыток электронов (отрицательный заряд). Кратковременное протекание тока по проводнику было вызвано перемещением электронов с одного края проводника на другой. Таким образом, здесь речь идет о проводнике с электронной проводимостью. Однако существуют вещества, которые при подобном опыте ведут себя иначе: нагретый край такого вещества получает отрицательный заряд, а холодный край - положительный заряд. Это возможно, если предположить, что перенос тока осуществляется положительными зарядами.

Рисунок 4. Связь между атомами вещества

Рисунок 5. Собственная проводимость полупроводников

Рисунок 6. Электронная проводимость полупроводника

Рисунок 7. Дырочная проводимость полупроводника

Познакомимся с другим видом проводимости у полупроводников - дырочной проводимостью. В чистых полупроводниках все электроны, слабо связанные с ядрами, участвуют в электронных связях. На рисунке 4, а условно показана заполненная связь между атомами вещества. "Дыркой" называется элемент кристаллической решетки вещества, потерявший электрон, что соответствует появлению положительного заряда (рисунок 4, б ).

Освободившаяся связь может вновь оказаться заполненной, если "дырка" захватит электрон из соседней связи (рисунок 4, в ). Это вызовет переход "дырки" на новое место. В веществе полупроводника, находящегося в нормальных условиях, направление вылета электронов и место образования "дырки" носят хаотический характер. Если к чистому полупроводнику приложить постоянное напряжение, то электроны и "дырки" будут перемещаться (первые против направления сил поля, вторые в противоположном направлении). Если число образующихся "дырок" будет равно числу освободившихся электронов, то, как это бывает у чистых полупроводников, проводимость полупроводников невелика (собственная проводимость). Наличие даже небольшого количества посторонних примесей может изменить механизм электропроводимости: сделать его электронным или дырочным. Рассмотрим конкретный пример. В качестве полупроводника возьмем германий (Ge). В кристалле германия каждый атом связан с четырьмя другими атомами. При увеличении температуры или в результате облучения парные связи кристалла могут быть нарушены. При этом образуется равное количество электронов и "дырок" (рисунок 5).

Добавим к германию в качестве примеси мышьяк. Такая примесь обладает большим числом слабосвязанных электронов. Атомы примеси имеют свой энергетический уровень, располагающийся между энергетическими уровнями свободной и заполненной зон, ближе к последней (рисунок 6). Подобные примеси отдают свои электроны в свободную зону и называются донорными примесями. В полупроводнике окажется наличие свободных электронов, в то время как все связи будут заполнены. Полупроводник будет обладать электронной проводимостью в свободной зоне.

Если теперь в качестве примеси к германию добавит не мышьяк, а индий, то произойдет следующее. Такая примесь обладает малым числом слабо связанных электронов, а энергетический уровень примеси располагается между энергетическими уровнями свободной и заполненной зон, ближе к свободной зоне (рисунок 7). Примеси этого рода принимают в свою зону электроны из соседней заполненной зоны и называются акцепторными примесями. В полупроводнике окажутся незаполненные связи - "дырки" при отсутствии свободных электронов. Полупроводник будет обладать дырочной проводимостью в заполненной зоне.

Теперь станет понятным опыт нагрева полупроводника, когда нагретый конец получал отрицательный заряд, а холодный конец - положительный заряд. Под действием тепла на горячем конце начнут разрушаться связи, возникнут "дырки" и свободные электроны. Если полупроводник содержит примеси, то "дырки" начнут переходить к холодному концу, заряжая его положительно, а нагретый конец полупроводника зарядится отрицательно.

Заканчивая рассмотрение полупроводников, делаем следующий вывод.

Добавлением к полупроводнику примесей можно придать ему преобладающую электронную или дырочную проводимость. Исходя из этого, получают следующие типы полупроводников. Полупроводники с электронной проводимостью называют полупроводниками n -типа (негативные), а с дырочной проводимостью - p -типа (позитивные).

Предлагаем вам также посмотреть учебные видео-фильмы о полупроводниках:

List=PL_QCOTUIndSFAbWcR3t0wYp5IORVEHu3I

Добавить сайт в закладки

Каковы основные свойства полупроводников?

По электрическому сопротивлению полупроводники занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Полупроводниковые диоды и триоды имеют ряд преимуществ: малый вес и размеры, значительно больший срок службы, большую механическую прочность.

Рассмотрим основные свойства и характеристики полупровод­ников. В отношении их электрической проводимости полупровод­ники разделяются на 2 типа: с электронной и дырочной проводимостью.

Полупроводники с электронной проводимостью имеют так на­зываемые свободные электроны, которые слабо связаны с ядрами атомов. Если к этому полупроводнику приложить разность потенциалов, то свободные электроны будут двигаться поступательно - в определенном направлении, создавая таким образом электри­ческий ток. Поскольку в этих типах полупроводников электрический ток представляет собой перемещение отрицательно заря­женных частиц, они получили название проводников типа п (от слова negative - отрицательный).

Полупроводники с дырочной проводимостью называются полу­проводниками типа р (от слова positive - положительный). Прохождение электрического тока в этих типах полупроводников можно рассматривать как перемещение положительных зарядов. В полупроводниках с р-проводимостью нет свободных электронов; если атом полупроводника под влиянием каких-либо причин по­теряет 1 электрон, то он будет заряжен положительно.

Отсутствие одного электрона в атоме, вызывающее положи­тельный заряд атома полупроводника, назвали дыркой (это зна­чит, что образовалось свободное место в атоме). Теория и опыт показывают, что дырки ведут себя как элементарные положитель­ные заряды.

Дырочная проводимость состоит в том, что под влиянием при­ложенной разности потенциалов перемещаются дырки, что равно­сильно перемещению положительных зарядов.

В действительности, при дырочной проводимости происходит следующее. Предположим, что имеются 2 атома, один из которых снабжен дыркой (отсут­ствует 1 электрон на внешней орбите), а другой, находящий­ся справа, имеет все электроны на своих местах (назовем его ней­тральным атомом). Если к полупроводнику приложена разность потенциалов, то под влиянием электрического поля электрон из нейтрального атома, у которого все электроны на своих местах, переместится влево на атом, снабженный дыркой.

Благодаря этому атом, имевший дырку, становится нейтральным, а дырка пере­местилась вправо на атом, с которого ушел электрон. В полупровод­никовых приборах процесс «заполнения» дырки свободным электро­ном называется рекомбинацией. В результате рекомбинации исчезает и свободный электрон, и дырка, а создается нейтральный атом. И так перемещение дырок происходит в направлении, противоположном движению электронов.

В абсолютно чистом (собственном) полупроводнике под действием тепла или света электроны и дырки рождаются парами, поэтому число электронов и дырок в собственном полупроводнике одинаково.

Для создания полупроводников с резко выраженными концентрациями электронов или дырок чистые полупроводники снабжают примесями, образуя примесные полупроводники. Примеси бывают донорные, дающие электроны, и акцепторные, образующие дырки (т. е. отрывающие электроны от атомов). Следовательно, в полупроводнике с донорной примесью проводимость будет преимущественно электронной, или n - проводимостью. В этих полупроводниках основными носителями зарядов являются электроны, а неосновными - дырки. В полупроводнике с акцепторной примесью, наоборот, основными носителями зарядов являются дырки, а неосновными - электроны; это - полупроводники с р-проводимостью.

Основными материалами для изготовления полупроводниковых диодов и триодов служат германий и кремний; по отношению к ним донорами являются сурьма, фосфор, мышьяк; акцепторами - индий, галлий, алюминий, бор.

Рисунок 1. Расположение электрических зарядов в полупроводнике.

Примеси, которые обычно добавляются в кристаллический полупроводник, резко изменяют физическую картину прохождения электрического тока.

При образовании полупроводника с n-проводимостью в полу­проводник добавляется донорная примесь: например, в полупро­водник германий добавляется примесь сурьмы. Атомы сурьмы, являющиеся донорными, сообщают германию много свободных электронов, заряжаясь при этом положительно.

Таким образом, в полупроводнике n-проводимости, образован­ного примесью, имеются следующие виды электрических заря­дов:

• подвижные отрицательные заряды (электроны), являющиеся основными носителями (как от донорной примеси, так и от соб­ственной проводимости);
• подвижные положительные заряды (дырки) - неосновные носители, возникшие от собственной проводимости;
• неподвижные положительные заряды - ионы донорной при­меси.

При образовании полупроводника с р-проводимостью в полупроводник добавляется акцепторная примесь: например, в полупроводник германий добавляется примесь индия. Атомы индия являющиеся акцепторными, отрывают от атомов германия элек­троны, образуя дырки. Сами атомы индия при этом заряжаются отрицательно.

Следовательно, в полупроводнике р-проводимости имеются сле­дующие виды электрических зарядов:

• подвижные положительные заряды (дырки) - основные но­сители, возникшие от акцепторной примеси и от собственной про­водимости;
• подвижные отрицательные заряды (электроны) - неоснов­ные носители, возникшие от собственной проводимости;
• неподвижные отрицательные заряды - ионы акцепторной примеси.

На рис. 1 показаны пластинки р-германия (а) и n-германия (б) с расположением электрических зарядов.

Какие у него особенности? Какова физика полупроводников? Как они построены? Что такое проводимость полупроводников? Какими физическими показателями они обладают?

Что называют полупроводниками?

Так обозначают кристаллические материалы, которые не проводят электричество столь хорошо, как это делают металлы. Но всё же этот показатель лучше, чем имеют изоляторы. Такие характеристики обусловлены количеством подвижных носителей. Если рассматривать в общем, то здесь существует крепкая привязанность к ядрам. Но при введении в проводник нескольких атомов, допустим, сурьмы, которая обладает избытком электронов, это положение будет исправляться. При использовании индия получают элементы с позитивным зарядом. Все эти свойства широко применяются в транзисторах - специальных устройствах, которые могут усиливать, блокировать или пропускать ток только в одном направлении. Если рассматривать элемент NPN-типа, то можно отметить значительную усиливающую роль, что особенно бывает важным при передаче слабых сигналов.

Конструктивные особенности, которыми обладают электрические полупроводники

Проводники имеют много свободных электронов. Изоляторы ими вообще практически не обладают. Полупроводники же содержат и определённое количество свободных электронов, и пропуски с позитивным зарядом, которые готовы принять освободившиеся частицы. И что самое главное - они все проводят Рассмотренный ранее тип NPN-транзистора - не единый возможный полупроводниковый элемент. Так, существуют ещё PNP-транзисторы, а также диоды.

Если говорить про последний кратко, то это такой элемент, что может передавать сигналы только в одном направлении. Также диод может превратить переменный ток в постоянный. Каков механизм такого превращения? И почему он двигается только в одном направлении? Зависимо от того, откуда идёт ток, электроны и пропуски могут или расходиться, или идти навстречу. В первом случает из-за увеличения расстояния происходит прерывание подачи снабжения, поэтому и осуществляется передача носителей негативного напряжения только в одну сторону, то есть проводимость полупроводников является односторонней. Ведь ток может передаваться исключительно в случае, если составляющие частицы находятся рядом. А это возможно только при подаче тока с одной стороны. Вот такие типы полупроводников существуют и используются на данный момент.

Зонная структура

Электрические и оптические свойства проводников связаны с тем, что при заполнении электронами уровней энергии они отделены от возможных состояний запрещенной зоной. Какие у неё особенности? Дело в том, что в запрещенной зоне отсутствуют уровни энергии. При помощи примесей и дефектов структуры это можно изменить. Высшая полностью заполненная зона называется валентной. Затем следует разрешенная, но пустая. Она называется зоной проводимости. Физика полупроводников - довольно интересная тема, и в рамках статьи она будет хорошо освещена.

Состояние электронов

Для этого используются такие понятия, как номер разрешенной зоны и квазиимпульс. Структура первой определяется законом дисперсии. Он говорит о том, что на неё влияет зависимость энергии от квазиимпульса. Так, если валентная зона является целиком заполненной электронами (которые переносят заряд в полупроводниках), то говорят, что в ней отсутствуют элементарные возбуждения. Если по какой-то причине частицы нет, то это значит, что здесь появилась положительно заряженная квазичастица - пропуск или дыра. Они являются носителями заряда в полупроводниках в валентной зоне.

Вырожденные зоны

Валентная зона в типичном проводнике является шестикратно вырожденной. Это без учета спин-орбитального взаимодействия и только когда квазиимпульс равен нулю. Она может расщепляться при этом же условии на двукратно и четырехкратно вырожденные зоны. Энергетическое расстояние между ними называется энергией спин-орбитального расщепления.

Примеси и дефекты в полупроводниках

Они могут быть электрически неактивными или активными. Использование первых позволяет получать в полупроводниках плюсовой или минусовой заряд, который может быть компенсирован появлением дыры в валентной зоне или электрона в проводимой зоне. Неактивные примеси являются нейтральными, и они относительно слабо влияют на электронные свойства. Причем часто может иметь значение то, какую валентность имеют атомы, которые берут участие в процессе передачи заряда, и строение

Зависимо от вида и количества примесей может меняться и соотношение между количеством дыр и электронов. Поэтому материалы полупроводников должны всегда тщательно подбираться, чтобы получить желаемый результат. Этому предшествует значительное количество расчетов, а в последующем и экспериментов. Частицы, которые большинство называют основными носителями заряда, являются неосновными.

Дозированное введение примесей в полупроводники позволяет получать устройства с требуемыми свойствами. Дефекты в полупроводниках также могут быть в неактивном либо активном электрическом состоянии. Важными здесь являются дислокация, межузельный атом и вакансия. Жидкие и некристаллические проводники реагируют на примеси по-другому, чем кристаллические. Отсутствие жесткой структуры в конечном итоге выливается в то, что перемещенный атом получает другую валентность. Она будет отличаться от той, с которой он первоначально насыщает свои связи. Атому становится невыгодно отдавать или присоединять электрон. В таком случае он становится неактивным, и поэтому примесные полупроводники имеют большие шансы на выход из строя. Это приводит к тому, что нельзя менять тип проводимости с помощью легирования и создать, к примеру, р-n-переход.

Некоторые аморфные полупроводники могут изменять свои электронные свойства под воздействием легирования. Но это относится к ним в значительно меньшей степени, чем к кристаллическим. Чувствительность аморфных элементов к легированию можно повысить с помощью технологической обработки. В конечном итоге хочется отметить, что благодаря длительной и упорной работе примесные полупроводники все же представлены целым рядом результатов с хорошими характеристиками.

Статистика электронов в полупроводнике

Когда существует то количество дыр и электронов определяется исключительно температурой, параметрами зонной структуры и концентрацией электрически активных примесей. Когда рассчитывается соотношение, то считается, что часть частиц будет находиться в зоне проводимости (на акцепторном или донорном уровне). Также принимается во внимание тот факт, что часть может уйти с валентной территории, и там образуются пропуски.

Электропроводность

В полупроводниках, кроме электронов, в качестве носителей зарядов могут выступить и ионы. Но их электропроводность в большинстве случае пренебрежительно мала. В качестве исключения можно привести только ионные суперпроводники. В полупроводниках действует три главных механизма электронного переноса:

1. Основной зонный. В этом случает электрон приходит в движение благодаря изменению его энергии в пределах одной разрешенной территории.
2. Прыжковый перенос по локализованным состояниям.
3. Поляронный.

Экситон

Дыра и электрон могут образовывать связанное состояние. Оно называется экситоном Ванье-Мотта. При этом которая соответствует краю поглощения, понижается на размер величины связи. При достаточной в полупроводниках может образоваться значительное количество экситонов. При увеличении их концентрации происходит конденсация, и образовывается электронно-дырочная жидкость.

Поверхность полупроводника

Такими словами обозначают несколько атомных слоев, что расположены около границы устройства. Поверхностные свойства отличаются от объемных. Наличие данных слоев нарушает трансляционную симметрию кристалла. Это приводит к так называемым поверхностным состояниям и поляритонам. Развивая тему последних, следует ещё сообщить и про спиновые и колебательные волны. Из-за своей химической активности поверхность укрывается микроскопичным слоем сторонних молекул или атомов, которые были адсорбированы из окружающей среды. Они-то и определяют свойства тех нескольких атомных слоев. На счастье, создание технологии сверхвысокого вакуума, при котором создаются полупроводниковые элементы, позволяет получить и сохранить на протяжении нескольких часов чистую поверхность, что позитивно сказывается на качестве получаемой продукции.

Полупроводник. Температура влияет на сопротивление

Когда температура металлов возрастает, то растёт и их сопротивление. С полупроводниками всё наоборот - при таких же условиях этот параметр у них уменьшится. Дело тут в том, что электропроводность у любого материала (а данная характеристика обратно пропорциональна сопротивлению) зависит от того, какой заряд тока имеют носители, от скорости их передвижения в электрическом поле и от их численности в одной единице объема материала.

В полупроводниковых элементах при росте температуры возрастает концентрация частиц, благодаря этому увеличивается теплопроводность, и уменьшается сопротивление. Проверить это можно при наличии нехитрого набора юного физика и необходимого материала - кремния или германия, также можно взять и сделанный из них полупроводник. Повышение температуры снизит их сопротивление. Чтобы удостовериться в этом, необходимо запастись измерительными приборами, которые позволят увидеть все изменения. Это в общем случае. Давайте рассмотрим пару частных вариантов.

Сопротивление и электростатическая ионизация

Это связано с туннелированием электронов, проходящих через очень узкий барьер, который поставляет примерно одну сотую микрометра. Находится он между краями энергетических зон. Его появление возможно только при наклоне энергетических зон, который происходит только под влиянием сильного электрического поля. Когда происходит туннелирование (что являет собой квантовомеханический эффект), то электроны проходят через узкий потенциальный барьер, и при этом не меняется их энергия. Это влечёт за собой увеличение концентрации носителей заряда, причем в обеих зонах: и проводимости, и валентной. Если развивать процесс электростатической ионизации, то может возникнуть туннельный пробой полупроводника. Во время этого процесса поменяется сопротивление полупроводников. Оно является обратимым, и как только будет выключено электрической поле, то все процессы восстановятся.

Сопротивление и ударная ионизация

В данном случае дыры и электроны ускоряются, пока проходят длину свободного пробега под воздействием сильного электрического поля до значений, которые способствуют ионизации атомов и разрыва одной из ковалентных связей (основного атома или примеси). Ударная ионизация происходит лавинообразно, и в ней лавинообразно размножаются носители заряда. При этом только что созданные дыры и электроны ускоряются электрическим током. Значение тока в конечном результате умножается на коэффициент ударной ионизации, который равен числу электронно-дырочных пар, что образовываются носителем заряда на одном отрезке пути. Развитие данного процесса в конечном итоге приводит к лавинному пробою полупроводника. Сопротивление полупроводников также меняется, но, как и в случае с туннельным пробоем, обратимо.

Применение полупроводников на практике

Особенную важность этих элементов следует отметить в компьютерных технологиях. Почти не сомневаемся, что вас бы не интересовал вопрос о том, что такое полупроводники, если бы не желание самостоятельно собрать предмет с их использованием. Невозможно представить работу современных холодильников, телевизоров, компьютерных мониторов без полупроводников. Не обходятся без них и передовые автомобильные разработки. Также они применяются в авиа- и космической технике. Понимаете, что такое полупроводники, насколько они важны? Конечно, нельзя сказать, что это единственные незаменимые элементы для нашей цивилизации, но и недооценивать их тоже не стоит.

Применение полупроводников на практике обусловлено ещё и целым рядом факторов, среди которых и широкая распространённость материалов, из которых они изготавливаются, и легкость обработки и получения желаемого результата, и другие технические особенности, благодаря которым выбор ученых, разрабатывавших электронную технику, остановился на них.

Заключение

Мы подробно рассмотрели, что такое полупроводники, как они работают. В основе их сопротивления заложены сложные физико-химические процессы. И можем вас уведомить, что описанные в рамках статьи факты не дадут в полной мере понять, что такое полупроводники, по той простой причине, что даже наука не изучила особенности их работы до конца. Но нам известны их основные свойства и характеристики, которые и позволяют нам применять их на практике. Поэтому можно поискать материалы полупроводников и самому поэкспериментировать с ними, соблюдая осторожность. Кто знает, возможно, в вас дремлет великий исследователь?!